Willkommen

Herzlich willkommen auf unserer Projektseite. Auf dieser Homepage erhalten Sie Informationen rund um das Projekt Projektname.

Kurzbeschreibung

Deutsch Das Ziel unseres Projektes ist es eine SOA-Messstation für MOSFET-Transistoren herzustellen. Bei der SOA-Messung wird der bereich gemessen, in welchem der MOSFET die angegebenen Eigenschaften im Datenblatt erfüllt. Es besteht bereits ein Prototyp der SOA-Messstation welchen von den Mitarbeitern bei Infineon erstellt wurde. Jedoch ist diese wie der Name schon sagt nur ein Prototype. Die Kabel liegen über den ganzen Arbeitsplatz verstreut umher und es ist sehr unübersichtlich. Unsere Aufgabe ist es nun den Protoype neu aufzubauen und jetweilige Verbesserungen wie einen Not-AUS oder einen Entladeschaltung für die Kondensatoren miteinzubauen. Des Weiteren entwerfen wir Module für viele der einzelden Komponenten der Messstation. Dadurch ist es sehr leicht, in Zukuft die Station umzubauen oder beschädigte Bauteile auszutauschen.

Unser Projekt wird bearbeitet und erstellt an der Infineon Austria GmbH in Villach.

Dieses Projekt wird gemeinsam mit einem Wirtschaftspartner durchgeführt:

English In the year 1947, a groundbreaking discovery of three scientists leads to the invention of the Transistor. They have generated a device with the property of influencing one current with another. Transistors are semiconductor devices typically made of silicon, germanium or mixed crystals. The name “transistor” isn’t chosen by chance. It is named according to its principals. “The change in resistance in the one semiconductor layer affects the resistance value of the others”. This is why the term “transfer-resistor” is used. Now to our Diploma thesis. A very important point in the datasheet is the SOA diagram. This describes the Safe Operating Area. In the area, the transistor achieves the given parametric which are displayed in the datasheet of the transistor. In the case of SOA measurement, the MOSFET is clamped in the SOA measuring test stand. A software is then used to set the voltage, current and pulse length. After each pulse, the current through the transistor is gradually increased until it breaks. This measurement process is repeated with several new transistors to get a more accurate figure. These results are entered into the data sheet by means of a diagram after taking the deviating tolerance into account. Our goal is to build a fully functional measuring test station for Infineon. The device consists, of a large capacitor bank which provides the energy needed for the measurement. Furthermore, a so-called crowbar is installed in the measuring station which discharges the capacitor bank in a controlled manner.

Details

Gehäuse unserer Messstation


Hardware

Gehäuse mit Beschreibung der einzelden Komponenten.

trending_up Apps

Programm der Messstation.

Hier können Sie das Programm sehen, mit welchem die Messstation gesteuert wird.

Our Awesome Team

Dominik Ernst Deana

Designen des Gehäuses

Tobias Gruber

Anfertigen der Platinen sowie programmieren.

Prof. Dipl.-Ing. Karl Lechner

Betreuer